AMYTELECOM / RESEARCH OPERATIONS
高磁导材料会重新引导磁通,但开口、接缝、频率、温度和既往磁化都会影响内部残余场。
屏蔽层数量、长径比、开孔和接缝决定磁通路径。
逐渐衰减的交变磁场可以降低剩磁,但操作顺序与外部环境会影响结果。
慢变化可能来自温度、机械位移、附近设备或材料磁滞。
屏蔽因子不是唯一数字,应记录位置、方向、频率与时间。
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